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DRAM合约价再跌10%

编辑:佛山强跃电子有限公司  字号:
摘要:DRAM合约价再跌10%
2010年12月下旬DRAM的合约价格持续重挫,其中2GB容量DDR3模块的价格下跌10%,平均售价跌破20美元,低价来到17美元价格,相较于2010年上半DRAM缺货高峰期,2GB容量DDR3模块价格较当时的价格已下跌超过50%,市场预期供过于求的情况至少还会再持续1季,因为2011年第1季的供给增加幅度相当大,预计要到2011年4月之后,等个人计算机(PC)大厂准备下半年旺季的备料,DRAM价格才有机会落底止跌。

2010年第4季合约价几乎是一路下跌,跌幅几近深不见底,是当初大家所始料未及的情况,2010年4月左右,2GB容量DDR3模块价格还有40美元以上,之后是一路下跌,11月模块合约价还有24~25美元,12月2GB容量DDR3模块合约价正式跌破20美元,连4月高峰时报价50%都不到。

市场预期,报价再跌下去,除了既有尔必达(Elpida)和力晶宣布要减产之外,一旦报价低于现金成本水位,将掀起另一波减产潮。

再者,在这波DRAM价格崩盘潮之下,2010年第4季财报将持续蒙受亏损的阴霾,包括台系DRAM厂的南亚科、华亚科、力晶等,展望2011年第1季,如果DRAM报价持续下跌,预计亏损情况将扩大下去。

2010年12月下旬DRAM合约价包括DDR2、DDR3都持续下跌,其中?^幅集中在DDR3;2GB容量DDR3模块没有止跌迹象,跌幅高达10%,1条模块平均售价为17~18美元,换算成1GbDDR3颗粒,单价为0.97美元。

南亚科认为,年底将至,DRAM厂和系统厂都不愿意留库存过年,是促使年底报价仍无法止跌的主因,但原本系统厂要在2011年第1季,才会搭载2GB内存容量的机种,部分业者已提前搭载4GB内存,预计此趋势在2011年第1季会更明显,届时4GB内存的普及有机会消化市场多余库存和产能。

力晶则指出,2011年将再有1~2台浸润式微米曝光机台(ImmersionScanner)到位,加速转进尔必达45奈米制程;瑞晶则预计2010年底之前,100%产能都转进45奈米制程,积极转进40奈米制程世代是抵御报价下滑较积极的作法。

在DDR2方面,2010年12月下旬合约价跌幅仅约5%,2GBDDR2模块价格21美元,换算成颗粒价格约1.1~1.2=元,在现货价格方面,DDR2价格之前开始有止跌的迹象,主要是近期市场释出一批低于市价但只专门支持DDR2的旧款芯片组,一线模块大厂开始借机调涨DDR2价格。

整体来看,业者认为DRAM价格走跌的趋势一直到未来1季,也就是2011年第1季仍无法逆转,加上2011年初会有很多制程转换的产能出货,届时要看大陆农历春节的回补库存力道有多强,大环境至少要等到4月PC大厂开始针对6月要推出的新机种开始备货,才有机会拉高库存。

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